项目名称： 高性能长波长InAs/GaSb二类超晶格材料基础研究

项目编号： No.61176014

项目类型： 面上项目

立项/批准年度： 2012

项目学科： 信息四处

项目作者： 马文全

作者单位： 中国科学院半导体研究所

项目金额： 70万元

中文摘要： InAs/GaSb超晶格结构具有II型能带结构，俄歇复合及隧穿电流可以被极大地抑制，具有长的载流子复合寿命，好的材料均匀性等特点，其带间跃迁波长可以覆盖约2.5-30微米的范围，在自由空间光通信、瓦斯监测及红外对抗等红外激光器与制导、夜视、天际红外信息获取等红外探测器领域具有重要应用，是新兴的最为优异的红外材料之一。相比于中波波段，本项目拟利用分子束外延（MBE）技术研究更具挑战性的长波长InAs/GaSb二类超晶格材料的基础制备问题，理论设计最为有效抑制俄歇符合的长波长超晶格结构，获得优化的长波长材料的MBE生长条件。需要解决的关键科学问题主要有InAs/GaSb超晶格结构的不同异质界面类型的控制问题、不同异质界面类型对于材料光学性质的影响问题、应变最小化的实现及控制问题等。作为验证长波材料性能的重要依据，我们还将依托本项目研制出长波长InAs/GaSb二类超晶格红外探测器原型器件。

中文关键词： 二类超晶格；长波；红外光探测器；分子束外延；界面

英文摘要：

英文关键词： type II superlattice；long wavelength；infrared photodetector；molecular beam epitaxy；interface