项目名称： CaCu3Ti4O12陶瓷介电性能-缺陷结构关联的研究

项目编号： No.51177121

项目类型： 面上项目

立项/批准年度： 2012

项目学科： 电工技术

项目作者： 李建英

作者单位： 西安交通大学

项目金额： 60万元

中文摘要： 高储能密度电容器广泛应用于现代工业和军事技术，新型介质材料的研发是发展高储能密度电容器的基础。CaCu3Ti4O12陶瓷具有高的介电常数，但高介电损耗和低击穿场强限制了其在高储能领域的应用。本项目通过掺杂添加剂和热处理等方法，对其显微结构和缺陷结构进行调控，研究提高其击穿场强和降低介电损耗的方法与技术。利用宽带介电谱仪、热刺激电流测量等手段，通过试样制备、介电特性、显微结构等的分析，系统研究CaCu3Ti4O12陶瓷介电性能与显微结构和缺陷结构的关联，特别注意晶界结构、陷阱状态和缺陷结构随制备过程、显微结构的关系。通过本研究，建立起一套用于识别和表征CaCu3Ti4O12陶瓷缺陷结构的方法，弄清添加剂掺杂行为和热处理对介电性能、缺陷结构的作用规律与机理，为提高CaCu3Ti4O12陶瓷的击穿场强、拓展其在高储能密度领域的应用提供实验依据和理论基础。

中文关键词： 压敏陶瓷；巨介电常数；钛酸铜钙陶瓷；介电性能；

英文摘要：

英文关键词： varistor ceramics；gaint dielectric constant；CCTO ceramics；dielectric performance；