项目名称： 氮掺杂氧化物制备新型稀释磁性半导体

项目编号： No.10904008

项目类型： 青年科学基金项目

立项/批准年度： 2010

项目学科： 金属学与金属工艺

项目作者： 刘春明

作者单位： 电子科技大学

项目金额： 23万元

中文摘要： 理论计算结果表明，用氮掺杂氧化物（CaO、SiO2等）可获得居里温度高于室温的新型稀释磁性半导体材料。这种材料中不含磁性过渡金属杂质，其磁性来源于氮杂质原子上局域磁矩之间的相互作用,因此是材料的本征属性，而不是来自磁性过渡金属杂质的团簇、颗粒或其他磁性杂质相的贡献。当前关于稀释磁性半导体的实验研究大多集中在磁性过渡金属掺杂的样品和含有本征缺陷的样品上，而对氮掺杂氧化物的实验研究则鲜有报道。鉴于此，我们将研究的主要目标定为用氮掺杂氧化物（MgO、CaO、SiO2、ZnO、TiO2和SnO2）来制备稀释磁性半导体材料。研究的内容主要包括氮掺杂氧化物样品的制备、微结构、磁性、光吸收和光致发光性质、载流子类型及迁移率等的测量和分析。通过研究，希望清楚地认识氮掺杂氧化物中磁性的物理机制，获得居里温度远高于室温、对可见光具有高透射率的稀释磁性半导体材料，把制备样品的关键技术申请为发明专利。

中文关键词： 离子注入；氧化物半导体；室温铁磁性；荧光；光吸收

英文摘要：

英文关键词： ion implatation；oxides semiconductor；roomtemperature ferromagnetism；photoluminescenece；optical obsorption