项目名称： 硅离子自注入改性硅薄膜发光材料的理论和实验研究

项目编号： No.10964016

项目类型： 地区科学基金项目

立项/批准年度： 2010

项目学科： 电工技术

项目作者： 杨宇

作者单位： 云南大学

项目金额： 24万元

中文摘要： 硅不仅是微电子技术的芯片材料，还具有储量丰富、成本低廉的优越性。但它是间接带隙，其发光效率较化合物半导体低二至三个数量级。本课题针对各类缺陷对硅发光影响进行理论研究的基础上，实验上采用缺陷工程，通过硅离子自注入及退火改性工艺，人为在硅中引入缺陷作为发光中心，探索高效率的近室温硅发光材料，获得优化的工艺条件。对实现硅的光电子集成具有极其重要的应用价值。

中文关键词： 硅；离子注入；退火；缺陷；光致发光

英文摘要：

英文关键词： Silicon；ion implantation；annealing；defects；photoluminescence