项目名称： 集成了不同量子阱的PIN型氧化锌纳米线LED阵列的构筑与电致发光性能研究

项目编号： No.11174112

项目类型： 面上项目

立项/批准年度： 2012

项目学科： 数理科学和化学

项目作者： 曹丙强

作者单位： 济南大学

项目金额： 67万元

中文摘要： 纳米线异质结是微纳光电子器件的基本构筑单元，也是研究低维系统光电特性的理想模型。本项目拟采用脉冲激光沉积(PLD)技术，通过衬底诱导外延生长不同取向(极性)的ZnO/ZnMgO薄膜量子阱，采用缓冲层竞争和纳米线模板诱导相结合的策略，生长轴向(极性)和径向(非极性)ZnO/ZnMgO纳米线量子阱，用光致发光谱研究极性不同的量子阱中载流子限域特征。利用激光烧蚀法（PLA）通过控制靶材成分生长受主掺杂的氧化锌纳米线，揭示不同受主掺杂形态的荧光指纹特征及对氧化锌p型导电的影响，探索共掺杂提高p型稳定性机理。进而综合利用PLD/PLA构筑具有不同量子阱结构的氧化锌PIN结，并组装成纳米线发光二极管(LED)阵列。通过电致发光谱研究量子阱结构对氧化锌纳米线LED光学性质的影响，阐明载流子在不同纳米线LED中的注入与复合规律，并揭示纳米线LED性能与量子阱中载流子限域效应之间的关联。

中文关键词： 氧化锌纳米线；p型掺杂；纳米线量子阱；纳米线发光二极管；激光脉冲沉积

英文摘要：

英文关键词： ZnO nanowire；p-type doping；nanowire quantum well；nanowire LED；PLD