项目名称： 铜互连阻挡层新材料钌、锇的化学机械抛光机理研究

项目编号： No.50975002

项目类型： 面上项目

立项/批准年度： 2010

项目学科： 一般工业技术

项目作者： 储向峰

作者单位： 安徽工业大学

项目金额： 36万元

中文摘要： 金属钌、锇和铱极有可能取代目前的氮化钽/钽作为大规模集成电路铜互连结构中阻挡层新材料，化学机械抛光（CMP）技术是其能否成功应用的关键所在。本项目研究CMP抛光液中各组分与钌、锇之间的化学反应，从分子水平揭示CMP过程中的化学反应历程，为CMP抛光液研制选择氧化剂、络合剂、表面活性剂等提供理论支持。本项目深入研究CMP抛光液中磨料粒子与被抛光金属相对硬度大小与抛光后表面粗糙度之间本质规律，建立磨料粒子与被抛光金属相对硬度大小与抛光后表面粗糙度之间关系模型，为金属（甚至二氧化硅、低k材料）的CMP抛光液研制选择合适磨料提供可靠的理论指导。

中文关键词： 化学机械抛光；阻挡层材料；钌；锇；表面粗糙度

英文摘要：

英文关键词： Chemical mechanical polish；barrier material；Ru；Os；surface roughness