项目名称： GaN和ZnO半导体及其合金表面与水分子的相互作用研究

项目编号： No.61176079

项目类型： 面上项目

立项/批准年度： 2012

项目学科： 信息四处

项目作者： 陈光德

作者单位： 西安交通大学

项目金额： 48万元

中文摘要： GaN和ZnO是重要的宽禁带半导体材料，近年来有研究表明由它们组成的合金(GaN)x(ZnO)1-x的带隙宽度可以降到2.4-2.7eV，是一种高效的可见光段光解水制氢催化剂，开创了GaN和ZnO半导体材料一个新的应用领域。本项目计划通过第一性原理计算系统研究水分子与GaN、ZnO及其合金表面的相互作用。探索不同环境下的稳定吸附构型，揭示它们的相互作用机理。项目的完成能够促进对（GaN）x（ZnO）1-x催化机理的理解，提出进一步提高催化效率的可行性建议；同时，也能够搞清楚水分子对GaN和ZnO晶体生长的影响以及表面吸附水分子后对光电性能的影响。 本项目组长期以来从事宽禁带半导体材料光学性质、纳米结构、及表面性质的研究，对GaN和ZnO的性质有深入了解，为本项目的开展奠定了良好的前期基础。

中文关键词： 水分子吸附；GaN；ZnO；光催化；第一性原理

英文摘要：

英文关键词： water molecule adsorption；GaN；ZnO；photocatalysis；first-principles