项目名称： 背照式SAM结构AlGaN基日盲紫外雪崩光电探测器研究

项目编号： No.60976042

项目类型： 面上项目

立项/批准年度： 2010

项目学科： 自动化技术、计算机技术

项目作者： 陈长清

作者单位： 华中科技大学

项目金额： 38万元

中文摘要： AlGaN基日盲紫外雪崩光电探测器（APD）在航空航天与高端武器平台等领域有着重要的应用前景。传统PIN结构的AlGaN基APD，因受器件自身结构和材料质量的限制，存在雪崩增益低、倍增噪声大等缺点。本课题拟采用吸收层与倍增层分离（SAM）的背照式APD器件结构，使光子吸收过程与光生载流子碰撞电离倍增过程在不同区域独立进行，实现提高雪崩增益和降低倍增噪声的目的。探索SAM结构中光生载流子输运与雪崩倍增效应等内在物理机制，建立可靠的器件物理模型，获得SAM结构APD的最佳设计。通过采用表面迁移增强的脉冲原子层外延生长方法和AlN/AlGaN超晶格结构，来有效降低蓝宝石衬底上高Al组分AlGaN材料的缺陷密度与内在张应力，优化AlGaN材料体系的n型与p型掺杂技术，完善器件制备工艺，并深入研究材料与器件质量提升过程中的基本物理问题，最终实现高性能背照式SAM结构AlGaN基日盲APD的研制。

中文关键词： AlGaN；日盲紫外探测器；脉冲原子层外延；Si-delta；Si-In共掺

英文摘要：

英文关键词： AlGaN；Sun-blind Ultraviolet detector；pulse atomic layer epitaxy；Si-delta；Si-In Codoping