项目名称： 小尺寸超薄HfTiON/GGO堆栈高k栅介质InGaAs nMOSFET研究

项目编号： No.61176100

项目类型： 面上项目

立项/批准年度： 2012

项目学科： 信息四处

项目作者： 徐静平

作者单位： 华中科技大学

项目金额： 70万元

中文摘要： 研究高速低功耗小尺寸InGaAs nMOSFET的核心技术- - 新型超薄HfTiON/GGO堆栈高k栅介质的制备方法和技术。从界面工程和栅堆栈工程关键问题入手，重点研究超薄GGO界面层的制备技术和HfTiON介质的最佳Ti、N含量，并对淀积前InGaAs表面预处理技术进行最佳化研究，以获得高稳定低界面态密度的GGO/InGaAs界面。同时利用HfTiON较大的k值设计较大的物理厚度有效抑制栅极漏电。将研究超高真空淀积法制备上述栅介质和界面层的最佳工艺和条件以及介质的最佳物理和化学结构,研制出相应的InGaAs nMOSFET原型样品。GGO界面层和高k HfTiON的堆栈使用，不仅能获得低界面态/固定电荷密度，进而高的载流子迁移率和低的栅极漏电，而且可以获得高k值和小的EOT，从而提高电流驱动能力、减小亚阈斜率。对16 nm工艺节点以下新一代InGaAs MOS集成电路的研发将产生重要影响。

中文关键词： InGaAs MOSFET；GaAs MOS；界面钝化层；高k栅介质；界面态密度

英文摘要：

英文关键词： InGaAs MOSFET；GaAs MOS；interfacial passivation layer；high-k gate dielectric；interface-state density