项目名称： 损伤电位补偿在脊髓损伤早期修复中的应用基础研究

项目编号： No.51177162

项目类型： 面上项目

立项/批准年度： 2012

项目学科： 电气科学与工程学科

项目作者： 霍小林

作者单位： 中国科学院电工研究所

项目金额： 61万元

中文摘要： 已有的研究表明钙离子的大量内流是形成脊髓二次损伤的主要诱因之一，同时也是损伤电位形成的主要原因。我们近期的实验结果发现，损伤电位和脊髓损伤程度间存在着明显的正相关，损伤程度高则初始损伤电位高，并且损伤电位随时间衰减，前1小时内快速衰减，4小时后基本消失。因此，结合损伤电位的变化特性和对二次损伤中钙离子大量内流的核心作用，我们提出了这样的假设：如果能够在脊髓损伤后早期进行有效的损伤电位补偿，就有可能大大降低钙离子的内流，进而减轻二次损伤的扩展，有利于脊髓功能的修复。本项目拟就损伤电位补偿在脊髓损伤早期修复应用中的相关基础问题进行系统研究，通过在体、离体实验，结合行为学、电生理、免疫组化、钙分布成像等技术手段，揭示损伤电位与损伤程度、损伤电位补偿与脊髓修复程度间的相关性，构建损伤电位形成与损伤电位补偿的电学理论模型和实验系统，为损伤电位补偿在脊髓损伤早期修复中的未来临床应用提供理论基础。

中文关键词： 脊髓损伤；损伤电位补偿；二次损伤；钙离子；复合动作电位

英文摘要：

英文关键词： spinal cord injury；injury potential compensation；secondary injury；Calcium ion；complex action potential