项目名称： 边/界面原子结合能改变对非π键型二维层状半导体材料能隙影响机制

项目编号： No.61674069

项目类型： 面上项目

立项/批准年度： 2016

项目学科： 无线电电子学、电信技术

项目作者： 朱永福

作者单位： 吉林大学

项目金额： 16万元

中文摘要： 二维层状结构材料因其优异的电学、光学和机械性能而被期待作为半导体材料用于研制厚度更薄、导电速度更快的新一代电子元件或电晶体。为实现该目标，需要理解微/纳尺度下由量子限域效应引致的能隙变化机制。本项目从边/界面原子键合状态角度出发，以V族如砷烯和锑烯及过渡金属硫化物如二硫化钼和二硒化钨等非π键型二维层状半导体材料为主要研究对象，探讨边/界原子结合能改变对能隙的影响机制，建立简明且无自由参数的能隙理论解析模型。同时，借助计算机模拟手段对能带结构的分析，阐明如何实现对能隙的调控。

中文关键词： 边/界面；量子限域效应；能隙；结合能；二维层状材料

英文摘要： Due to their excellent electronic, optical and mechanical properties, two-dimensional layered materials are expected as semiconductor materials to fabricate the new generation of thinner and faster electronic components or transistors. To achieve this goa

英文关键词： edge/interface；quantum confinement effect；bandgap；cohesive energy；two-dimensional layered materials