项目名称： 离子注入制备BiFeO3/ZnO/graphene多铁性器件

项目编号： No.11375133

项目类型： 面上项目

立项/批准年度： 2013

项目学科： 数理科学和化学

项目作者： 付德君

作者单位： 武汉大学

项目金额： 88万元

中文摘要： 用串列加速器的铯溅射离子源产生C10团簇负离子束，注入Ni/SiO2/Si，辅以退火、等离子体刻蚀及化学腐蚀，除去Ni表面graphene和Ni膜，在SiO2表面直接形成graphene，然后沉积BiFeO3/ZnO，制成BiFeO3/ZnO/graphene/SiO2铁电铁磁性场效应管。用Raman光谱、HRTEM、AFM和Hall效应分别测定石墨烯的结构、形貌和载流子特性。ZnO用水热法生长，BiFeO3用溶胶凝胶法生长，并原位掺入稀土元素以增强铁磁性，补充注入O离子以降低漏电流，测定其电滞回线和磁滞回线。系统研究工艺参数对薄膜结构和性能的影响，在优化条件下制备FET器件，测定其源-漏极电阻-栅压曲线及界面特性，利用多铁性膜层的自发电极化和磁化场调控器件的电阻-栅压曲线，实现三比特存储，为离子束技术制备graphene多比特存储器提供科学依据。

中文关键词： 石墨烯；铁酸铋；多铁性；多比特存储；离子束

英文摘要： We propose to fabricate graphene-based multiferroic field effect transistors (FETs) using negative cluster beams of C10 produced by the cesium sputtering ion source of a tandetron accelerator. The graphene layer will be directly formed on SiO2, without tr

英文关键词： Graphene；BiFeO3；multiferroic；multi-bit；ion beam