项目名称： 面向空间应用深亚微米SOI集成器件辐照损伤机理研究

项目编号： No.61176095

项目类型： 面上项目

立项/批准年度： 2012

项目学科： 信息四处

项目作者： 毕津顺

作者单位： 中国科学院微电子研究所

项目金额： 77万元

中文摘要： 制约卫星等空间飞行器寿命的关键技术之一就是星用电子元器件(或集成电路)的抗辐射水平，而对于在空间运行十年以上的卫星来说，总剂量辐射效应及单粒子辐射效应是导致卫星失效的主要原因。因此伴随着我国对外太空的不断探索，对先进半导体器件辐照效应的深入研究显得越来越重要。然而，国际上对深亚微米和超深亚微米技术节点的半导体器件和集成电路的辐照效应的研究还很有限。本课题重点研究，面向空间应用深亚微米（0.13μm技术节点以下）SOI集成器件的辐照损伤机理，包括总剂量辐照和单粒子辐照对于超薄栅氧和STI隔离氧化物的影响，室温和77K下总剂量辐照引起部分耗尽和全耗尽器件射频特性和噪声的性能退化，单个MOS器件的单粒子淀积电荷的收集过程，利用特殊的芯片电路结构捕捉并研究单粒子脉冲机制。为我国研制高性能、抗辐照、星用SOI集成电路，做出有力的理论和技术储备。

中文关键词： 辐照损伤；辐照加固；机理；深亚微米；绝缘体上硅

英文摘要：

英文关键词： radiation damage；radiation hard；physics mechanism；deep submicron；silicon-on-insulator